追击来到眼前！韩媒：中国也量产尖端DRAM DDR5（组图）

韩国朝鲜日报报导，据传中国长鑫存储开始量产三星电子与SK海力士的主力产品：尖端DRAM DDR5。在上一代DDR4 DRAM中，中国花了6年追赶韩国，如今中国在韩厂推出DDR5仅4年后便开始量产该尖端记忆体，显示在韩国主力的记忆体领域上，中国的追赶速度加快。

传中国长鑫存储开始量产尖端DRAM DDR5。（撷取自长鑫存储官网）

报导说，韩厂在成熟制程的记忆体领域被中国迎头赶上后，如今尖端领域又面临中国来势汹汹的挑战，半导体业界人士说，「如果继成熟型DRAM之后，长鑫存储又对尖端DRAM展开低价攻势，将对三星电子和SK海力士构成巨大威胁。韩国企业难以避免在中国市场遭受打击」。

报导指出，本月17日，中国记忆体设备制造商金百达科技（KingBank）与光威（Gloway）同时推出了32GB容量的DDR5 DRAM。这两家公司从记忆体公司购买DRAM，进行插入个人电脑或伺服器的组装。这两家公司在广告中皆写有「国产芯片（晶片）、势不可挡」的宣传，表示这是「加入中国产DDR5芯片的DRAM」。

虽然这两家公司没有公开DRAM的制造商，但从产品说明来看，晶片制造商是长鑫存储。业界人士透露，「据我们所知，长鑫最近开始生产DDR5，正与客户接洽。他们自己披露的良率在80%左右」。报导说，基于韩厂的良率为80%至90%，中国的制程技术已上升到相当高的水准。

DDR5 是2020年由SK海力士率先推出，其数据容量是上一代DDR4的4倍，数据处理速度是DDR4的2倍快，与高频宽记忆体（HBM）同被认为是AI时代的代表性记忆体。

不过有分析认为，长鑫存储的DDR5性能目前还低于三星与SK海力士，因韩厂在将极紫外光机（EUV）应用于DRAM制造时，更加细微的绘制电路，减少了电力消耗，增加了储存容量，但中国因受美国制裁，无法进口EUV，业界人士说，「我们推测长鑫是利用老设备生产DDR5，目前还没有进入量产阶段」。