中芯国际7nm芯片传出新消息 与台积电差距曝光（图）

中国企业中芯国际正朝着第三家掌握7nm工艺的代工厂商迈进，将会出现跟高工艺水平的芯片，同时，与台积电技术差距也显现。

中国媒体智通财经网11月21日报道，据管理层透露，中芯国际14nm工艺芯片良率目前已达到了业界标准，意味着其所生产的芯片良率已达到95%。

截至目前，14nm工艺是芯片制造领域的一个分水岭，掌握14nm工艺节点的厂商只有台湾台积电、美国英特尔、韩国三星和中芯国际。中芯国际14nm工艺良率已达业界量产水准，在全球代工厂中规模仅次于台积电。

然而，正如公司管理层于业绩会上提到的，公司今年研发任务基本完成，即便FinFET取得成绩，但与世界一流晶圆厂水平还有很多差距和道路要走。

目前，中芯国际是全球仅有的6家掌握14nm工艺节点的厂商之一，是中国大陆具备完整成熟逻辑工艺制程、最先突破且唯一具备14nm生产能力的专业晶圆代工厂商。而到了7nm制程的角逐中，目前全球有能力提供7nm制程代工的厂商仅有三星和台积电。

其中，在先进制程上，台积电无疑是保持了在技术上最领先优势。目前台积电与三星均能够量产5nm芯片，但三星良率没有台积电高。除此之外，台积电4nm芯片预计在2021年开始正式批量生产，3nm将在2021年试产、2022年大批量产，而2nm芯片则预计在2024年量产。有消息称，苹果、英特尔等已经提前将3nm的芯片订单交给台积电。

在生产设备上，预计2020年交付35台EUV光刻机，2021年则会达到45台到50台。考虑到公共卫生事件影响，目前EUV设备最大年产量仅30台左右。EUV光刻机作为7nm以下芯片生产所不可或缺的设备，台积电已向ASML确认2020年至2021年订单，从目前情况来看，台积电为光刻设备的主要采购者，三星和英特尔则紧随其后。

目前，为实现技术上的突破，中芯国际开展N+1、N+2工艺战略追赶7nm制程工艺。其中，N+1工艺已进入客户导入产品认证阶段，已小量试产，相较14nm性能可提升20%，主要面向低功耗应用领域。该制程已较格芯的12nm和联电的14nm有所领先。

在这之后，中芯国际还有望于2021年推出N+2，面向高性能应用领域。据公司首席执行官梁孟松博士介绍，中芯国际在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2之后的工艺才会转向EUV光刻工艺。