消息称高通骁龙 8 Gen 5 采用台积电 N3E 工艺，Galaxy 版采用三星 SF2P 工艺

IT之家2 月 29 日消息，消息源 @Tech_Reve 近日发布推文，表示包括今年发布的骁龙 8 Gen 4 在内，高通公司的所有旗舰芯片完全使用台积电的 3nm 工艺制造，不过明年推出的骁龙 8 Gen 5 会采用多晶圆厂方案。

报道称三星生产了高通骁龙 8 Gen 1 芯片，由于过热以及效率低下，高通公司转而采用台积电，后者自此成为其独家代工合作伙伴。

而这种格局明年会发生改变，其中常规的骁龙 8 Gen 5 芯片继续由台积电的 3nm 工艺 N3E 制造，而适用于三星旗舰 Galaxy S26 系列的骁龙 8 Gen 5 芯片采用三星的 SF2P 工艺。

IT之家注：与 SF3 相比，SF2 工艺可以在相同的频率和复杂度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高 12% 的性能，在相同的性能和复杂度下减少 5% 的面积。

为了让 SF2 工艺更具竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的 IP 组合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。

而 SF2P 是在 SF2 工艺基础上，针对高性能计算（HPC）再次优化，预估在性能方面会有更大的改进。

此前消息称高通骁龙 8 Gen 5 会采用“Pegasus”核心，采用“2+6”的集群设计方案以及 Slice GPU 架构。

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